Theo báo cáo phương tiện truyền thông nước ngoài, một nhóm nghiên cứu do Giáo sư Zhou Shengjun của Đại học Vũ Hán dẫn đầu đã phát triển một đèn LED màu xanh lá cây dựa trên GaN hiệu quả cao trên bề mặt sapphire. Nhóm nghiên cứu đề xuất sử dụng một lớp hạt nhân lai (Lớp hạt nhân lai) bao gồm các thiết bị AIN (Sputtered AlN) và gaN nhiệt độ trung bình để cải thiện hiệu quả lượng tử của đèn LED xanh dựa trên GaN.
Hiện nay, sự phát triển của các bộ phát III-nitride hiệu quả cao trong phạm vi nhìn thấy đầy đủ là rất hấp dẫn và sự hợp nhất của nhiều bộ phát III-nitride màu cho phép quản lý quang phổ lai hiệu quả và chính xác, dẫn đến màn hình độ phân giải cao và các ứng dụng chiếu sáng thông minh khác nhau, nhưng trở ngại chính hiện nay là hiệu quả kém của các bộ phát III-nitride trong vùng quang phổ xanh lá cây đến tan.
Để đạt được điều này, các nhà nghiên cứu tại Đại học Vũ Hán đã sử dụng một lớp hạt nhân lai mới để chế tạo đèn LED màu xanh lá cây InGaN / GaN hiệu quả cao trên chất nền sapphire. Trong quá trình sản xuất, lớp hạt nhân hỗn hợp và bề mặt GaN sẽ tạo ra Cấu trúc đứt gãy xếp chồng, giúp đạt được Bù căng thẳng Misfit.
Được hưởng lợi từ việc thư giãn căng thẳng không phù hợp với nhiệt ban đầu, Mật độ trật khớp và Căng thẳng còn lại trong đèn LED màu xanh lá cây được giảm. Kết quả là, nhóm nghiên cứu đã cải thiện hiệu quả khoảng 16% trong quá trình sản xuất hàng loạt.
Nhóm nghiên cứu của Đại học Vũ Hán cho biết triển vọng ứng dụng của lớp hạt nhân lai rất hứa hẹn để thực hiện các bộ phát III-nitride hiệu quả cao trong khu vực màu xanh lá cây đến vàng nâu.
