Trong cấu trúc gói UVC-LED cực tím sâu điển hình, chip UVC có thể được hàn trên khung sứ bằng phương pháp hàn dán hoặc hàn eutectic. Sự khác biệt về nhiệt độ hàn của hai quy trình đóng gói này dẫn đến sự khác biệt lớn hơn về nhiệt độ nung lại tối đa có thể chấp nhận được của SMT hạt đèn tiếp theo. Đồng thời, một số quy trình đổ keo đặc biệt cũng dễ khiến chip rời miếng đệm tạo thành chất hàn ảo trong quá trình nung lại ở nhiệt độ quá cao và cuối cùng là hở mạch và chết. Do đó, quy trình SMT của các hạt đèn của chúng tôi phải thực hiện nghiêm ngặt đường cong chỉnh lưu được khuyến nghị (xem Phần 3, phải tuân theo đường cong chỉnh nhiệt để biết thêm chi tiết) để tránh khả năng cao bị hỏng đèn.
1. Khả năng chịu nhiệt độ chảy ngược của hàn dán hàn và hạt đèn đóng gói hàn eutectic
1.1 Hàn với thuốc hàn:hàn miếng lót chip và giá đỡ bằng một chấm bột hàn. So với keo bạc truyền thống khả năng chịu nhiệt tinh thể rắn, khả năng dẫn nhiệt được cải thiện rất nhiều. Nhiệt lượng do chip tạo ra có thể được tản ra nhanh chóng. Đồng thời, hiệu suất cơ học của nó được nâng cao đáng kể, giúp cải thiện độ tin cậy của các hạt đèn.
1.2. Hàn eutectic:Hai kim loại khác nhau có thể tạo hợp kim theo một tỷ lệ trọng lượng nhất định ở nhiệt độ thấp hơn nhiều so với điểm nóng chảy tương ứng của chúng. Hàn eutectic có ưu điểm là dẫn nhiệt cao, điện trở thấp, truyền nhiệt nhanh, độ tin cậy cao và lực cắt lớn sau khi liên kết. Tỷ lệ lỗ hàn tương đối thấp, nhưng chi phí thiết bị cao.
Hiện tại, điểm nóng chảy của thuốc hàn được công ty chúng tôi sử dụng để hàn tinh thể rắn là 217 ℃ và chất hàn eutectic được sử dụng phổ biến nhất để hàn eutectic là hợp kim vàng-thiếc và nhiệt độ eutectic của nó là 278 ℃. So với quá trình eutectic, độ xốp của thuốc hàn dán tương đối cao hơn, lực liên kết bề mặt của nó tương đối kém và hàn eutectic có nhiều ưu điểm hơn về khả năng chịu nhiệt độ.
2. Giới thiệu về Gói silicone / Gói ống kính
2.1. Trên đây là 2 quy trình đóng gói hạt đèn mà công ty chúng tôi hiện đang cung cấp, một là chiết rót silicon (tức là hạt đèn PSM), hai là đóng gói thấu kính (hạt đèn dòng QSC). Trong số đó, các hạt đèn PSM được lấp đầy trực tiếp bằng silicone chống tia UV sau khi hoàn thành việc dán khuôn và không có chất keo bên trong gói ống kính, và ống kính được cố định trực tiếp trên giá đỡ bằng keo UV để đóng gói.
2.2. Các hạt đèn PSM do quá trình làm đầy silica gel, khi được làm nóng, ứng suất bên trong của gel chắc chắn sẽ tăng lên do sự co lại của rào cản nhiệt, làm cho ứng suất tác dụng lên chip và bề mặt đỡ tăng lên, và trong những trường hợp nghiêm trọng, chip và miếng đệm đỡ Tước gây ra đèn chết mạch hở, vì vậy so với hạt đèn dòng QSC, hạt đèn PSM dễ bị chết mạch đèn hơn trong quá trình hàn lại.
3. Đường cong nhiệt độ dòng chảy phải được quan sát
Các hạt đèn UVC-LED chứa đầy silicone phải được hàn lại bằng chất hàn nhiệt độ thấp. Nhiệt độ đỉnh không được lớn hơn 155 ℃, thời gian nhiệt độ đỉnh phải được kiểm soát ở 20 giây và thời gian nung nóng lại không được lớn hơn 5 phút. Nên sử dụng keo hàn thiếc-bitm.
Gói thấu kính thạch anh hạt đèn UVC-LED
Các hạt đèn UVC-LED được đóng gói bằng thấu kính thạch anh phải được hàn lại bằng chất hàn nhiệt độ thấp. Nhiệt độ đỉnh không được lớn hơn 170 ° C, thời gian cao điểm phải được kiểm soát ở 20 giây và thời gian nung nóng lại không được lớn hơn 5 phút. Nên sử dụng keo hàn thiếc-bitm.
